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芯片內(nèi)部的薄膜厚度為微米到納米級，無法通過普通機(jī)械加工方法制造，而需要采用 薄膜沉積技術(shù)。薄膜沉積技術(shù)是以各類適當(dāng)?shù)幕瘜W(xué)反應(yīng)源在外加能量（包括熱、光、等離 子體等）的驅(qū)動下激活，將由此形成的原子、離子、活性反應(yīng)基團(tuán)等在襯底表面進(jìn)行吸附， 并在適當(dāng)?shù)奈恢冒l(fā)生化學(xué)反應(yīng)或聚結(jié)，漸漸形成幾納米至幾微米不等厚度的金屬、介質(zhì)、 或半導(dǎo)體材料薄膜。
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